瑞薩新晶片 最低LTE耗電

(中央社記者吳佳穎台北23日電)行動通訊半導體方案平台供應商瑞薩通信技術本部宣布，旗下第3代的GSM/HSPA+/LTE FDD/ LTE TDD多模數據晶片支援完整的LTE Cat-4流量，有最低LTE耗電表現和更高速度。

瑞薩通信技術本部 (Renesas MobileCorporation)發布資料指出，晶片支援完整的長程演進技術(LTE) Category 4流量，可達150Mbits下載和50Mbits上傳，有業界最低的LTE耗電表現，具備更高速度和更長的電池壽命。

瑞薩通信指出，新晶片在20MHz頻寬運用Cat-4的耗電效率表現優於主要競爭產品達45%，每Mbit僅需2mA，除了提高了電池壽命，在下載大型檔案時，像是影片、音樂、和瀏覽複雜的網頁等，也可讓使用者保持連線，維持較長的時間無須充電。

另外，新的第3代多模數據晶片有極小的尺寸，比前一代的小了45%，超低耗電和高度的整合，讓OEM廠商能加速產品布局，降低研發心力和風險。

瑞薩通信技術本部的資深副總騰胡能(HeikkiTenhunen)表示，這款次世代的超薄數據晶片平台，將能讓代工製造(OEM)廠商設計出能利用高速流量，執行互動遊戲時低遲滯、快速瀏覽網頁和串流影片、以及高資料量的企業軟體的行動裝置。1020223