IC製造里程碑 國研院發表「多重鰭高電晶體」

全球半導體積體電路(IC)競賽進入白熱化階段，國際大廠近年推出彎曲式的「鰭式場效電晶體」，以節省晶片面積、降低成本。國研院技高一籌，今天(3日)發表「多重鰭高鰭式場效電晶體」製程技術，突破現有單一高度的元件結構製程，首度做出不同高度的電晶體。 積體電路(IC)是半導體產業中一場尺寸微縮與效能提升的競賽，如何在更小的元件上做更多晶片，是產業努力的目標。過去電晶體是以「平面式」的元件結構排列，近期演變成像鯊魚鰭般的「立體式」結構，節省空間及成本。 國際大廠英特爾(Intel)才在2012年推出同一高度的立體「單一鰭高電晶體」，三星及IBM也預計在14奈米的微處理器上走向立體式結構，而國研院做到了不同高度的製程突破，完成「多重鰭高電晶體」。 這是在半導體領域第一個不同高度的電晶體製程突破，國研院表示，未來5年，半導體製程將從傳統的平面式結構轉為立體，目前申請專利中，希望技轉給廠商。國研院製程服務組組長陳旻政說：『(原音)我們是利用特殊的製程，在微影技術上，還有精準控制鰭高，相對在製程參數上要許多彈性的改變才有辦法達到。目前市面上像Intel、IBM發表的都是單一鰭高，那我們是第一個製造出多重鰭高電晶體的結果。』 國研院也從本月起，將製作平台開放給國內學術界研發各種元件雛型與製程技術，讓學術前瞻研究與產業接軌，提升產業競爭力。