【三代半導體狂潮1】鴻海參戰打造第二座護國神山 鞏固台灣全球「矽盾」地位

鴻海買下旺宏6吋晶圓舊廠，宣示進軍第三代半導體的決心，並為台灣打造新的護國神山。只是，過去20年，第三代半導體大多是歐、美、日半導體廠商的天下，不禁令人納悶，第三代半導體未來的蓬勃發展，是否撼動台灣半導體產業「矽盾」的全球地位。不單如此，中國也來勢洶洶，希望藉此在半導體領域超車。面對來自全球的強敵，專家認為，依照過去台灣發展半導體的經驗，台灣在製程與IC設計的部分，應該有機會取得較大的突破。

為了因應未來電動車客戶的需求，今年8月，鴻海豪砸25.2億元收購旺宏月產能1.5萬片的6吋晶圓舊廠。「雖然這個6吋廠不是做SiC（碳化矽），但透過新的投資，可以將這座晶圓廠轉去做SiC。」劉揚偉直接說出鴻海揮軍第三代半導體的企圖心，以及協助旗下MIH打造電動車生態系的決心。

知識力執行長曲建仲認為，資金對鴻海集團來說，絕對不是問題，若劉揚偉願意加速全力投入，或許可以彌補鴻海第三代半導體經驗稍嫌不足的劣勢。而鴻海大張旗鼓地購買旺宏6吋晶圓廠，到處嚷嚷說要坐電動車，這種操作策略跟馬斯克（Elon Musk）很像，先把錢跟人（合作廠商）吸進來，再加上決心與執行力，就有機會在第三代半導體與電動車領域成功。

曲建仲指出，第三代半導體的優勢在於可以承受更高的功率、縮小體積、提高導電效率及減少發熱。在應用領域方面，N型碳化矽晶圓製被用來作做高功率元件，主要應用於電動車、風力發電、太陽能等領域，至於用半絕緣碳化矽晶圓做基板成長氮化鎵（GaN）磊晶製作射頻積體電路，則應用於5G基地台、低軌衛星等領域，而使用矽晶圓做基板成長氮化鎵磊晶製作高頻功率元件，則應用於充電器等消費性電子領域，代表性廠商如台積電。

值得一提的是，過去20年，第三代半導體大多是歐、美、日半導體廠商的天下；不禁令人納悶，台灣能否迎頭趕上？同時，第三代半導體快速的成長，會不會撼動台灣半導體產業「矽盾」(Silcon Shield)的全球地位？

長期研究半導體產業的日月光集團研發中心副總經理洪志斌首先澄清，把GaN和SiC稱為第三代半導體，很容易讓不懂半導體的人在第一時間產生誤解，以為這些技術是要「取代」現有半導體主流的製程矽或砷化鎵，但實際的狀況並非如此。因為這些技術各有其用途，「以目前台積電生產給手機、電腦與消費性電子所用的矽晶圓，並不會被第三代半導體取代，所以用『第三類半導體』來稱呼GaN和SiC等化合物半導體產品，可能會更加適合。」洪志斌說。

目前全球第三代半導體是由意法半導體（STM）、英飛凌（Infineon）等歐美IDM（整合元件製造）大廠主導，從研發、設計、製造到測試，全由IDM廠一手包辦，台灣業者能著墨的空間有限，但未來2、3年，隨著產品應用面與市場規模快速擴增，局面應該會有所改變，洪志斌觀察。

其實，日月光幾年前就已經觀察到第三代半導體市場變化的機會。洪志斌表示，除了現有晶片用的釘架型封裝（leadframe），日月光也開發出更高整合度的嵌入式系統整合封裝（a-EASI），並取得日本TDK授權的基板型嵌入式封裝（SESUB）等用在第三代半導體的封測技術；此外，日月光投控旗下的環旭電子也與全球各大車廠供應鏈密切合作，應可順利搶下第三代半導體商機。

洪志斌指出，過去在電動車、太陽能或風力發電等綠能相關產業，台灣半導體廠商能夠著墨的機會相對零散，但現在因為第三代半導體的應用越來越廣，所以讓台灣半導體廠商也能夠以更完整的元件設計、晶圓製造、封裝測試、模組化系統解決方案來參與；基本上，算是多了很多發展、成長的空間，對未來營運有利。

不過，中國在發展第三代半導體比台灣更積極，是否因此在相關領域「彎道超車」，不免令人感到憂心。

曲建仲說，中國現在隨便一家第三代半導體相關的廠商，一出手，碳化矽長晶爐可能就是300、500台；反觀台灣，現在要找出一家擁有50台碳化矽長晶爐的廠商，恐怕有點困難。就經濟規模來看，一次400、500台一起try and error，跟一次只有十幾台一起try and error，誰能比較快在材料方面的良率有所突破，其實顯而易見。若要與對岸競爭，政府與台廠必須投入更多資源。

「就目前的現況來看，中國第三代半導體相關廠商與台灣之間的關係，恐怕是競爭大於合作。主要原因是，台灣目前第三代半導體設計、製造及材料都未處於領先的地位，所以對岸根本不太可能找上台廠談合作。除此之外，中國政府大力推動晶片自主化戰略，也讓彼此合作的機會更加不容易。」曲建仲憂心地表示。話雖如此，曲建仲仍樂觀看待，依照過去台灣發展半導體的經驗，台灣在製程與IC設計的部分，應該有機會取得較大的突破。

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