三星傳擴產 集邦:明年DRAM添變數

(中央社記者鍾榮峰台北30日電)三星(Samsung)傳出可能擴大動態隨機存取記憶體DRAM)產能,市調機構集邦科技認為,這將改變DRAM市場供應吃緊局面,並為明年DRAM市況添增變數。

集邦科技表示,在市場供給持續吃緊下,今年第4季DRAM合約價可望進一步走高,將連續6季上漲;自去年中以來DRAM合約價漲幅將超過130%水準。

集邦科技指出,三星傳出有意將原訂建置儲存型快閃記憶體(NAND Flash)產線的平澤廠二樓,部分轉為以18奈米製程生產DRAM,估計明年DRAM位元產出增加幅度將由原估的18%,提高到23%水準。

對於三星可能展開擴產計畫,集邦科技認為,三星主要是希望能確保長期DRAM市場領先地位。

集邦科技預期,SK海力士(SK Hynix)與美光(Micron)不排除可能跟進展開軍備競賽,明年全球DRAM供給將成長達22.5%,成長幅度將高於今年的19.5%,將彌平市場供需缺口,並為DRAM市況添增變數。1061030