中山研發碳化矽製作技術 希望第三代半導體技術根留臺灣

汽車製造業所需的第三代半導體材料「碳化矽（SiC）」製作難度高，導致供不應求。中山大學晶體研究中心，目前正研發晶體生長設備及相關技術，透過2200oC以上的超高溫生長出碳化矽晶體，是目前國內唯一具備生長6至8吋晶圓設備的研究中心。

中心主任周明奇表示，第三代半導體新材料的研發，將左右台灣能否掌握下世代半導體的先機，晶體中心將發揮大學社會責任，把生長碳化矽晶體的核心技術，「根留台灣」。