半導體中心攜手台灣團隊 研發新型態磁性記憶體 (圖)

國家實驗研究院於9日舉行記者會,展示團隊研發的新型態「自旋軌道力矩式磁性記憶體」(SOT-MRAM)。圖為國研院院長吳光鐘(左3)、半導體中心主任葉文冠(左2)、副主任謝嘉民(左1)、製程整合組組長李愷信(右2)、台大電機系教授劉致為(右3)。

中央社記者蘇思云攝 110年11月9日