半導體製程刷新 家登樂開懷

工商時報【記者涂志豪╱台北報導】 半導體產業2015年將出現重大技術世代交替，最關鍵的微影技術（lithography）將朝向極紫外光（EUV）製程進行轉換。為了搶攻EUV技術世代交替新商機，設備廠家登（3680）的極紫外光光罩傳送盒（EUV Pod）已獲台、韓、美三地半導體大廠認證，訂單能見度直透2015年下半年，營運已是蓄勢待發。 家登今年前3季營收13.62億元，每股淨利0.37元，與去年同期相較由虧轉盈，累計前11月營收達16.42億元，年增率11％，12月營收有機會擺尾向上。家登表示，誰掌握了先進製程，誰就具有主宰市場的力量，家登已站穩晶圓傳載技術的關鍵領導地位，尤其是早在2年前掌握EUV光罩關鍵傳載技術，順利發展獨步全球的EUV Pod，2015年將無縫接軌先進製程加速導入階段的腳步，並為營運注入一股強而穩健的成長動能。 半導體製程自2013年進入28奈米世代之後，主流微影技術是以193nm波長光源設備為主的浸潤式多重曝影（immersion multi-patterning）製程，但隨著光罩曝光次數愈多，不僅生產線的月產能會出現自然減損問題，晶圓製造成本也快速拉高，也因此，半導體廠過去幾年積極尋找新的微影技術以降低成本，包括多重電子束（multi e-beam）及EUV等都是選項。 新一代微影技術能否成功的關鍵，在於可否成功拉高晶圓產量（throughput），由設備大廠艾司摩爾（ASML）主導的EUV技術，透過提高電射光源功率方式成功拉高產量，2014年晶圓曝光速度已達每天600片。ASML預計2016年將可達每天1,500片量產規模，等於月產能可達4.5萬片，因此被英特爾、台積電（2330）、三星、SK海力士等大廠視為未來微影技術主流。 台積電董事長張忠謀日前對前研發副總蔣尚義委以重任，要蔣尚義畫出未來10年技術藍圖，其中主要任務之一就是要協助台積電加快導入EUV技術。設備業者指出，台積電10奈米在2017年進入量產，已初步計畫用EUV製程進行一層光罩的曝光，2019年進入7奈米世代後，EUV製程將扮演關鍵角色。為此，ASML已宣布接獲台積電兩台NXE:3350B量產型EUV系統曝光機訂單，預計2015年出貨並用於量產。 除了台積電之外，英特爾及三星明年也會採購量產型EUV設備，開始為EUV量產進行練兵；而在EUV生產鏈中，台灣設備廠只有2家業者入列，一是電子束檢測設備廠漢微科（3658），一是提供EUV Pod的家登。