工研院、台積電合作 開發SOT-MRAM元件

工研院與晶圓製造龍頭台積電合作，雙方攜手開發出自旋軌道轉矩磁性記憶體（SOT-MRAM）陣列晶片搭配創新的運算架構，適用於記憶體內運算，且功耗僅為STT-MRAM的百分之一，成果領先國際，並在全球微電子元件領域頂尖會議之「國際電子元件會議」（IEDM）共同發表論文。工研院電子與光電系統所所長張世杰指出，隨著AI人工智慧、五G時代來臨，包括自駕車、精準醫療診斷、衛星影像辨識等應用，更快、更穩、功耗更低的新世代記憶體為各家大廠研發重點。

工研院與台積電今年開發出兼具低功耗、十奈秒高速工作等優點之SOT-MRAM單元，並結合電路設計完成記憶體內運算技術，進一步提升運算效能，跳脫了MRAM已往以記憶體為主的應用情境，雙方將研發成果共同發表在IEDM二○二三。未來此技術可應用於高效能運算、AI人工智慧及車用晶片等。

工研院致力推動國內半導體市場開啟新興應用，擘畫《二○三五技術策略與藍圖》作為研發方向，在「智慧化致能技術」應用領域，研究發展非揮發性記憶體創新技術，期望開拓新記憶體市場的新星，協助國內產業界，發展高價值技術與產品。