旺宏推車規NAND 資料可保存十年

(中央社記者鍾榮峰台北18日電)記憶體製造廠旺宏宣布,推出通過AEC-Q100 Grade 2/3車規標準認證的儲存型快閃記憶體(NAND Flash)產品,內存的資料約可保存10年,寫入次數可達10萬次。

旺宏指出,這次發表的車用NAND Flash,採用自有專利的36奈米製程技術,透過電路設計,達成車用電子對高容量、高傳輸效能與高可靠度快閃記憶體的需求。

除內存資料可保存10年,寫入次數可達10萬次,旺宏表示,車用NAND Flash產品儲存容量涵蓋1Gb到8Gb,工作溫度範圍從攝氏105度至零下40度, 為了兼顧不同電壓需求,同時提供1.8V與3V的產品。

為充分監控並掌握產能與進度, 旺宏指出, 車用NAND Flash將在自家的12吋晶圓廠生產;除NAND Flash外,旺宏車用快閃記憶體產品線還包括序列式與並列式編碼型快閃記憶體(NOR Flash)。1060718