盜取GE機密文件 華男判緩刑1年

一名華裔男子此前涉嫌盜取通用電氣公司(GE)機密技術文件，被捕控以竊取商業機密罪，去年向紐約北區聯邦法院承認罪行，日前法官判其一年緩刑和5000元罰款。

根據認罪協議，43歲的隋楊(Yang Sui，姓名皆音譯)報住紐約上州Niskayuna，是通用電氣前員工，他承認2015年1月至2017年12月間從公司竊取多個電子文件，這些文件內包括碳化硅材質的金属氧化物半導體場效應晶體管(metal-oxide semiconductor field-effect transistors，簡稱MOSFETs)研究、設計和製造的相關信息，碳化硅MOSFETs廣泛使用於通用電氣公司的產品中，如航空設備和風力渦輪機等。

此外隋楊還承認自己2017年計畫自行成立公司，準備生產和銷售MOSFETs。

根據領英網(LinkedIn)上隋楊的個人頁面信息，他在哈爾濱讀完高中後考上清華大學，攻讀材料科學，之後在愛荷華州立大學和普渡大學分別獲取碩士和博士學位，博士期間他曾擔任多個校內組織和俱樂部的主席，並從事研究助理工作；2010年10月至2018年1月他在位於Niskayuna的通用集團全球研發中心，擔任半導體裝置工程師，並發表過至少18篇學術文章。

隋楊被捕後被控竊取商業機密罪，去年5月認罪，日前法官判其一年緩刑和5000元罰款。

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