聯電攜手英特爾將開發12奈米製程平台 集邦：可望創造雙贏

國內晶圓代工大廠聯電和英特爾25日共同宣布，雙方將合作開發12奈米製程平台，以因應行動、通訊基礎建設和網路等市場的快速成長，雙方合作開發的12奈米製程預計在2027年投入生產。對此，市調機構集邦科技認為，這一合作案可望創造雙贏局面。

集邦科技分析，聯電與英特爾合作開發12奈米，主要是由聯電提供多元化技術服務，英特爾提供現成工廠設施，採共同營運模式。這有助於英特爾銜接由整合元件製造（IDM）轉換至晶圓代工的模式，增加製程調度彈性，並獲取晶圓代工營運經驗。

集邦科技強調，聯電不須負擔龐大的資本支出，即可靈活運用鰭式場效電晶體（FinFET）產能，從成熟製程的競爭中另謀生路，同時藉由共同營運英特爾美國廠區，擴大國際產能分布，分散地緣政治風險，這一合作案可望創造雙贏局面。

集邦科技提到，聯電與英特爾選擇英特爾現有的美國亞利桑那州Ocotillo Technology Fabrication的12、22和32廠做為合作廠區，僅須設備機台移裝機的廠務二次配管費用，及相關小型附屬設備支出，相較於購置全新機台，合作案投資金額將可省下超過80%。

聯電共同總經理王石表示：「聯電與英特爾進行在美國製造的12奈米FinFET製程合作，是本公司追求具成本效益的產能擴張，和技術節點升級策略的重要一環」。集邦科技指出，聯電為主要技術矽智財（IP）提供者，其14奈米尚未大規模量產，12奈米還在研發階段，FinFET架構技術穩定性仍待觀察。