〈英特磊法說〉磊晶產品線擁多項成長動能 持續洽談MBE機台委託案
三五族群英特磊 IET-KY(4971-TW) 今 (9) 日召開法說會,董事長高永中指出,各磊晶產品線目前都擁多項成長動能,此外,客戶對三五族 MBE 機台及設計表示高度認可,持續洽談機台訂製委託案。
高永中說明,銻化鎵方面,美國國防相關銻化鎵紅外磊晶晶片需求持續成長,國外銻化鎵磊晶片需求也同步增加,對此,英特磊已經增設銻化鎵第 3 台磊晶機台,第一季已投產。另外,英特磊也取得美國中小企業創新研發 (SBIR) 二期國防合約,為期 18 個月,將在第三季開始按季請款並貢獻營收。
高永中認為,整體而言,銻化鎵紅外磊晶片市場成長快速,且因新機台加入製造,目前交貨期已經縮短,預期 2024 年銻化鎵磊晶片營收成長,將超過其他磊晶產品。
氮化鎵部分,高永中指出,氮化鎵二次長晶品質一致性客戶回饋滿意,訂單增加。多家氮化鎵二次長晶客戶詢問出貨、安裝,操作氮化鎵二次生長機台價格與交貨期,英特磊都將持續開拓商機。
至於下一階段 300mm 機台時程,高永中則表示,目前暫時放緩。此外,先前傳出矽基氮化鎵二次生長有 8 至 12 吋客戶有望打入手機供應鏈,營銷副總靳宗培回應,目前沒有新的進度。
磷化銦方面,高永中表示,磷化銦 HBT 與 APD 仍是主力,PIN 主要客戶下單開始認證 6 吋晶片,同時討論恢復 3 吋晶片供應及存貨購買流程。至於砷化鎵,高永中提到,今年銷售主力為 pHEMT 產品,目前觀察老牌大廠訂單與國防大廠高端訂單均回升,英特磊聚焦良率與交貨期。
高永中也提到,MBE 機台銷售目前磋商中,包括小型、大型與特殊型,英特磊皆已投入人力與資源做好準備,目前已完成特殊機台零期設計大綱,且已提交客戶。同時,新廠增建工程已經開始,預計 2025 年初完成。