英飛凌將於今年慕尼黑電子展中，推出全球首款12吋氮化鎵晶圓

【財訊快報／記者張家瑋報導】因應工業應用正朝向更高功率等級發展，全球碳化矽前五大廠英飛凌(Infineon)宣布推出業界首款2000V CoolSiC蕭特基二極體，並將於今年12月正式上市。此外，將於今年慕尼黑電子展中，展出全球首款12吋氮化鎵晶圓，標示技術突破里程碑。英飛凌表示，2000V CoolSiC蕭特基二極體可顯著提高功率密度，設計開發實現更高的功率水平，而組件數量僅為1200 V解決方案的一半，顯著降低熱阻和阻抗，從而實現更好的熱管理。並將於今年慕尼黑電子展中，展示碳化矽（SiC）主逆變器CoolSiC套件、電池管理系統解決方案、氮化鎵（GaN）車載充電器、線控轉向系統解決方案及適用於燃料電池應用感測器。

另外，目前氮化鎵晶圓仍以8吋為主流，英飛凌率先推出業界首款12吋氮化鎵晶圓技術，向外界展示技術性突破。英飛凌表示，此為推動氮化鎵功率半導體技術發展重要里程碑，創造新的解決方案與應用領域。

過去英飛凌是碳化矽溝槽式(Trench)技術的代表，而另一競爭者意法半導體則是碳化矽平面式(Planer)技術領頭羊，雙方在技術上互別苗頭，無獨有偶，意法半導體也於10月底於深圳舉辦工業高峰會中，展示碳化矽從研發、基板、磊晶和晶圓製造到功率分立元件和模組的組裝和封裝產品，及應用於工業和汽車POWER MOSFET和二極體產品組合。