外媒揭台積電2奈米良率提高6％ 傳可為客戶節省數十億美元

全球晶片代工龍頭台積電預計將於明年下半年開始使用N2（2奈米級）製程，外國媒體報導披露，台積電團隊已成功將SRAM測試晶片的良率提高6%，可以為公司客戶從更高的良率中「創造了數十億美元的節省經費」。

綜合資訊科技網站Tomshardware等外媒報導，台積電將於明年1月才開始提供2奈米技術的穿梭測試晶圓服務，不太可能提高最終採用2奈米製造的實際晶片原型的產量。提高SRAM和邏輯測試晶片的良率確實非常重要，因為最終可為客戶節省大量成本，從更高的良率中受益。

報導指出，台積電的N2將是該公司第一個使用環柵 （GAA） 奈米片電晶體的製造，預計將大幅降低功耗、提高性能和電晶體密度。特別是台積電的GAA奈米片電晶體不僅比3nm FinFET電晶體更小，而且透過提供改進的靜電控制和減少洩漏而不影響性能，可以實現更小的高密度SRAM位元單元。

報導續指，使用N2製造技術製造的晶片預計在相同的電晶體數量和頻率下比使用N3E製造的晶片消耗的功率減少25%至30%之間，在相同的電晶體數量和功率下提供10%至15%的性能改進，並且與N3E製造的半導體相比，晶體管密度增加了15%，同時保持相同的速度和功率。

台積電業務開發資深副總暨副共同營運長張曉強今年5月初在台積電2024年技術論壇台灣場表示，採用創新奈米片的2奈米製程進展「非常順利」，目前奈米片轉換表現已達到目標90%、換成良率即超過80%。台積電預計將於2025年下半年開始採用N2製造製程大規模生產晶片。