專論》啟動 301 條款 拜登下台前調查中國半導體不公平競爭
[Newtalk新聞] 2024 年 12 月 23 日美國貿易代表辦公室發布新聞稿，啟動調查中國宰制半導體產業的行為、政策與做法。
針對中國半導體不公平貿易調查啟動的時機點，在拜登任期的最後一刻，而調查的公布時間點，離川普 1 月 20 日就職，僅剩兩周。
美國貿易代表戴琪（Katherine Tai）在新聞稿特別強調：「這項調查強調了拜登-哈里斯政府的承諾，致力於維護美國工人和企業的利益，增加關鍵供應鏈的韌性，與支持對半導體產業所進行空前的投資。」
這個（12）月美國制裁140家中企，北京立即以「反壟斷」為藉口，調查輝達（Nvidia），美中雙方制裁速度越來越廣、也越快，手段越來越強。
中國半導體的非市場手段 損害美國經濟安全
新聞稿的內容提到：「有證據顯示，中國企圖在中國國內及全球市場主導半導體產業，並廣泛採取了反公平競爭和非市場手段，其中包括制定和追求市佔率的目標，以達到本土化和自給自足。」
美歐早已聯手封殺中國取得半導體先進製程技術，不過在 2023 年，各國隨即警覺到中國轉而強攻半導體成熟製程（傳統）晶片，複製中國在太陽能、電動車等產業擴大市佔率模式，以大量國家補貼，低價傾銷等「非市場手段」，以國家之力「人為性壓低價格」，企圖打垮同類型廠商，從擴大到宰制全球市場。
中國非市場手段的不公平競爭，包含國家補貼、剽竊智慧財產、低價傾銷等等危害他國的經濟安全已經不是新聞。面對中國在成熟製程晶片造成產能過剩，刻意低價傾銷，美國是否可以避免太陽能、電動車等覆轍，尚未可知。
新聞稿提到：「中國的行為、政策和做法似乎已經或可能造成美國和其他經濟體許多有害影響，損害了美國工業和工人的競爭力、美國關鍵的供應鏈和美國的經濟安全。」
從過去的經驗來看，一旦失去供應鏈韌性，就會讓中國有機會進行經濟脅迫，而失去國家的自主性。
低價傾銷成熟製程晶片 滲入美國關鍵產業
我們常常注意到的是關鍵科技所使用的尖端晶片，但是成熟製程晶片卻無所不在：汽車、飛機、家用電器、寬頻，消費性電子用品、工廠自動化系統、軍用系統、醫療器材。這些設備在美國製造業經濟扮演核心角色，將會對美國製造業及其下游活動帶來負面影響。
新聞稿提到這個針對中國半導體的調查「一開始將聚焦在中國基礎半導體（也稱為傳統或成熟製成半導體）的製造，包括將半導體作為零組件納入關鍵產業的下游產品之中，這些關鍵產業如國防、汽車、醫療器材、航太、電信以及發電和電網。」
調查也將初步評估中國的行為、政策和做法對「碳化矽基板」（silicon carbide substrates）或用作半導體製造投入的其他晶圓）生產的影響是否會對美國商業造成任何不合理或歧視或負擔或限制。
中國成熟製程晶片 對美國經濟安全構成重大挑戰
2023年出版《矽三角─美台中與全球半導體安全》一書就已提及應考慮「美國及其合作夥伴，對中國半導體設備的出口限制，要提高到28奈米」，也就是要對中國的成熟製程（mature process）─ 7 奈米以上包括 16 奈米及 28 奈米，進行設備出口管制。
根據集邦科技預估中國的成熟晶片，全球市場佔有率在 2023 年為 29%，預計 2027 年將增至 33%。據 CSIS今（2024）年 4 月關於中國成熟晶片的評論，有一個數據值得我們注意，中國 44 座晶圓廠加上興建中的 22 座，2030 年將會覆蓋中國內需的 90%。相較 2020 年的 37%，10 年內成長不可謂不大。
儘管上述的數字都有些微調與改變，可以確定的是中國轉向成熟晶片製程的企圖。
當美國不斷限制關鍵產業使用中國晶片，強調半導體供應鏈韌性的重要，美國商業部工業暨安全局在 2024 年 12 年 6 日對外新聞稿提到他們對於美國企業是否知悉自己正中國成熟製程半導體？工業暨安全局的《成熟製程半導體使用之公開報告》，在其提到：
44% 的美國公司不知道產品是否用了中國晶片、只有 17% 的公司明確知道不含中國晶片，預估超過 2/3 的美國公司產品包含了中國晶片，38% 公司含有中國成熟晶片，在這些公司產品所使用的占比並不高，中國晶片佔總量的 2.8%，總價值的 1.3%。
美國商務部工業暨安全局的次長艾斯特維茲（Alan Estevez ）早已提到「中國擴大傳統晶片生產的不公平做法，將對美國經濟和國家安全構成重大挑戰，」
美國未來可使用手段，除了增加中國半導體進口關稅之外，也要在半導體供應鏈上，讓產業所使用的中國半導體變得更為透明。
美國貿易法的 301 條款
對外國政府不合理或歧視性作為對美國商業所造成的負擔與限制。根據貿易法的 301 條款 b 項，美國貿易代表可依據 301 條自行發動調查。
作者：張東和
參考資料：
2024/12/24 FT US launches probe into Chinese semiconductor industry
2024/12/06 《Public Report on the Use of Mature-Node Semiconductors》
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