台積電明年2奈米量產 集邦：3大半導體廠邁入GAAFET競爭

全球晶圓代工龍頭台積電2奈米製程將於明年量產，是台積電採用第1代奈米片架構技術，市調機構集邦科技表示，全球3大半導體廠台積電、英特爾和三星將邁入GAAFET架構的競賽新局面，為客戶提供更高效能、更低功耗且單位面積電晶體密度更高的晶片。

集邦科技今天發布新聞稿提到，鰭式場效電晶體（FinFET）架構自3奈米開始逐漸面臨物理極限，半導體先進製程技術發展也出現分歧。台積電和英特爾在3奈米製程延續採用FinFET架構，三星嘗試自3奈米導入基於環繞閘極電晶體（GAAFET）的多橋通道場效電晶體（MBCFET）架構，但至今仍未放量。

集邦科技表示，台積電2025年量產2奈米製程，將轉進奈米片架構，英特爾18A將導入帶式場效電晶體（RibbonFET），三星仍致力改善3奈米MBCFET製程，上述這3家半導體廠正式轉進GAAFET架構競賽。

集邦科技指出，台積電等廠商採用GAAFET架構，是希望藉由4面接觸有效控制閘極，為客戶提供更高效能、更低功耗且單位面積電晶體密度更高的晶片。隨著人工智慧（AI）快速發展，驅動客製化晶片及封裝面積需求升高，連帶推升CoWoS需求。

集邦科技續指，輝達明年CoWoS需求將占台積電的60%，並驅動台積電CoWoS月產能於年底接近倍增到7.5萬至8萬片規模。輝達Blackwell新平台明年上半將逐步放量，將帶動CoWoS-L需求量超越CoWoS-S，占比有望超過60%。

集邦科技預估，雲端服務供應商積極打造特殊應用晶片，預期AWS等廠商明年對於CoWoS的需求將明顯增加。至於高頻寬記憶體發展，隨著輝達B300、GB300採用HBM3e 12hi，預期2025年起12hi將成為產業主流堆疊層數。

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